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高功率單片式 Silent Switcher 2 穩壓器
隨著汽車中電子系統數量的成倍增加,車內產生電磁干擾的風險也大幅升高了。因此,新式車輛中的電子產品常常必須符合 CISPR 25 Class 5 EMI 測試標準,該標準對傳導型和輻射型 EMI 發射做了嚴格的限制。由于其本身的性質,開關電源充斥著 EMI,并在整個汽車中“彌漫擴散”。
如今,低 EMI 與小的解決方案尺寸、高效率、散熱能力、堅固性和易用性一起,成為了對汽車電源的一項關鍵要求。Silent Switcher 2 穩壓器系列可滿足汽車制造商嚴格的 EMI 要求,同時擁有緊湊的尺寸以及集成化 MOSFET 和高電流能力。
已獲專利的Silent Switcher 技術在高頻、高功率電源中實現了令人印象深刻的 EMI 性能。作為這項技術的下一代,Silent Switcher 2 簡化了電路板設計和制造,其所采取的方法是把熱環路電容器納入到封裝中,因此 PCB 布局對于 EMI 的影響極小。
當今 (及未來) 車輛上所使用的片內系統 (SOC) 器件與前幾代同類產品幾乎沒有什么相似之處。信息娛樂系統和車輛安全系統之特性和功能的指數性增加迫切要求 SOC 處理數據的速度比過去提高幾個數量級,包括以極少的延遲處理來自多個信號源的高分辨率視頻數據。例如,倘若汽車的前置攝像頭“看到”了某種危險,則汽車必須立刻做出響應,要么提醒駕駛者注意,要么剎車制動。
為了滿足最新的計算需求,SOC 在其封裝中集成了越來越多的高耗電器件,可是,將怎樣提供這些所需的功率呢? 在汽車中,功率輸送方案必須具有高效、緊湊和低 EMI 的特點。SOC 增加的需求使得它們更難以滿足。
比如,一個 R-Car H3 SOC 包含 8 個 ARM 內核、DSP、視頻和圖形處理器、以及輔助的支持器件。所有這些組件均需要可靠的電源,包括三個用于外設和輔助組件的電源軌 (5V、3.3V 和 1.8V)、兩個用于 DDR3 和 LPDDR4 的電源軌 (1.2V 和 1.1V)、和另一個用于內核的電源軌 (0.8V)。
為了支持 SOC 所需的電流水平,具有外部 MOSFET 的開關電源控制器是優先于單片式電源器件的傳統選擇方案。單片式器件因其內部 MOSFET 最大限度縮減了成本和解決方案尺寸而引人注目,但是它們在傳統上受限的電流能力和存在的熱問題則通常限制了其使用。LT8650S 和一個新的單片式降壓型 Silent Swicther 穩壓器系列擁有支持 SOC 的電流能力和熱管理特性。
由于具備高效率和熱管理特性,因此 Power by Linear™ LT®8650S、LT8609S 和 LT8645S 的輸出電流能力比典型單片式穩壓器高得多。3V 至 42V (對于 LT8645S 則為 65V) 的輸入電壓范圍涵蓋了汽車電池的各種電量條件。這些單片式 IC 具有集成的 MOSFET,并能以高于 2MHz 的頻率運行,因而縮減了解決方案尺寸和成本,同時避開了 AM 頻段。Silent Switcher 穩壓器專為最大限度降低 EMI 而設計,從而使其成為適合 SOC 的一種熱門選擇。
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